一、好组件，不怕遮挡


。Hi-MO X10选取行业最先进的HPBC 2.0电池技术，效能超过26.6%，同时，HPBC2.0技术选取新型半片工艺，削减切片损失和边缘漏电;HPBC 2.0还选取双极复合钝化技术和类旁路二极管结构，让组件更耐紫表线，更低衰减和无惧阴影遮挡


。 二、用泰睿，抗隐裂更好


。Hi-MO X10选取WilliamHill威廉希尔自研的泰睿硅片，是硅片领域近十年最大创新


。该硅片纯度更高，杂质更低，首年衰减仅为1%，线性衰减0.35%，温度系数为-0.26%/℃


。同时，泰睿硅片电阻均匀散布，削减电流亏损，强度比通常硅片提升16%，抗断裂能力更强，抗隐裂机能大幅提升


。 三、0BB技术，吸光多发电更多


。Hi-MO X10不只正面因无栅线实现更多吸光成效，并且背面栅线还选取0BB技术，让正面和背面都可能实现最大限度的吸光成效，实现更多发电


。同时，Hi-MO X10的0BB技术使得电流导通蹊径更短，电池应力散布越发均匀，最终实现电流的衰减更低和电池片的抗隐裂机能更强


。